Fairchild P 沟道PowerTrench® MOSFET 荣获 《今日电子》“优化开发奖”

全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ： FCS)，在《今日电子》(EPC)主办的第十二届年度Top-10电源产品奖颁奖大会上，荣膺“优化开发奖”，该奖项旨在表彰协助工程师提高系统工程开发速度的解决方案，为他们提供完整开发配套工具和支持。这已是Fairchild第八次获得这项殊荣。

今年的获奖产品是150V FDMC86259PP 沟道PowerTrench® MOSFET，运用了Fairchild先进的PowerTrench® 工艺，此工艺专用于最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。该工艺不仅有助于缩小成品尺寸，而且带来极快的开关速度。在导通和开关损耗方面，该产品比最具竞争力的同类产品所创造的节能效率高出50%。

iFET产品线副总裁Suman Narayan 表示：“我们的 150V FDMC86259P 带来了显著的节能效果，尤其适用于各种需要高速开关功率电路的数据中心和基站应用。Fairchild专注于帮助客户提高功率系统能效，因此，这一殊荣肯定了Fairchild在中压 P 沟道 MOSFET 技术的领导地位，我们感到由衷欣慰。”

Top-10电源产品奖旨在表彰该领域中取得显著进步的技术或其应用。该奖项参选范围包括所有的电源类产品，重点强调创新表现和卓越的性价比。候选产品以三个标准加以评估：技术或其应用方面的显著进步、创新设计和优异的性价比表现。此外，还设有五个独立奖项：技术突破奖、最佳应用奖、优化开发奖、绿色能源奖以及自主创新奖。