Nexperia新推出的LFPAK56 MOSFET器件，改善了爬电距离与电气间隙

Nexperia，作为分立、 逻辑和 MOSFET 器件的全球领导者，近日宣布 MOSFET 的LFPAK56封装系列中的两款器件目前已可投入使用， 其经改善的爬电距离与电气间隙满足额定电压在 15V 到 32V 之间的电池供电设备的 UL2595 要求。 器件与行业标准的 Power-SO8 占用空间 100% 兼容;尚无其它紧致表面安装器件能满足要求源极端头和漏极端头之间最小爬电距离与电气间隙为 1.5mm 的 UL2595 标准。

与使用引线接合法构造的一些相竞争 Power-SO8 类型不同，Nexperia 的 LFPAK56 封装采用一次性焊接至芯片表面的铜夹构造而成。这降低了扩展电阻，赋予 LFPAK56 出色的电气和热特性并提高了可靠性。增强型 SOT1023A 封装中的新款 PSMN0R9-30ULD 和 PSMN1R0-40ULD N 沟道 MOSFET 的爬电距离为 1.5mm，电气间隙为 1.55mm。PSMN0R9-30ULD 器件的额定电压为 30V， 电阻为 0.87mΩ，电流为 300A，PSMN1R0-40ULD 的额定电压为 40V，电阻为 1.1 mΩ，电流为 280 A。

国际产品营销经理 Eric Su 评论道：“UL2595是一个重要的很有可能被其他国际监管机构采用的美国标准。此外，设备制造商宁愿设计一款符合最严格标准的全球产品，也不愿针对不同地理位置设计不同版本的产品。因此，设计人员必须意识到常规的 Power-SO8 器件达不到 UL2595，但有兼容且方便替换的器件可供选择。”

PSMN0R9-30ULD 和 PSMN0R9-40ULD MOSFET 是 Nexperia 的 NextPowerS3 系列器件的一部分，具有低 RDS(on)、最大电流和牢固安全工作区 (SOA) 的优点，是由电池供电的电机控制应用方面的完美选择。